东芝推出第三代碳化硅MOSFET可降低开关损耗

盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET，即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款，其中5款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，并均已开始批量出货。

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。